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    400-677-0098
    碳化硅化學氣相涂層爐
    碳化硅化學氣相涂層爐
    產品描述:
    用于半導體領域的石墨或陶瓷表面的碳化硅化學氣相涂層。
    應用范圍:
    熱彎模具、導流筒、半導體坩堝、外延載盤、晶舟、爐管等。產品純度≥99.999%/99.9999%。

    碳化硅化學氣相涂層爐技術特征

    采用先進的進氣控制技術,能精密控制MTS/SiCl4等的流量和壓力,爐膛內沉積壓力穩定,壓力波動??;

    多通道工藝氣路,配合旋轉料臺,無沉積死角;

    溫度場與氣流場耦合采用仿真輔助設計,溫度場與氣流場的均勻性好;

    多級尾氣處理系統,能高效處理腐蝕性尾氣、固體副產物,環境友好;

    爐殼采用耐腐蝕不銹鋼材質,熱場材料采用低灰分材質,嚴格把控進氣管路材質(選用EP級材質);

    適于工藝氣氛:真空/H2/N2/Ar/MTS等。


    碳化硅化學氣相涂層爐產品規格

    參數\型號HCVD-101015-SiCHCVD-121220-SiCVCVD-0608-SiCVCVD-0812-SiCVCVD-1015-SiCVCVD-1218-SiCVCVD-1520-SiCVCVD-1530-SiC
    工作區尺寸 W×H×L(mm)1000×1000×15001200×1200×2000600×800800×12001000×15001200×18001500×20001500×3000
    最高溫度(℃)1500
    溫度均勻性(℃)±10/±15±15/±20±5/±7.5±7.5/±10±10/±15±10/±15±15/±20±15/±20
    極限真空度(Pa)1-100
    壓升率(Pa/h)0.67
    加熱方式電阻

    以上參數可根據工藝要求進行調整,不作為驗收依據,具體以技術方案和協議為準。

    碳化硅化學氣相涂層爐配置選擇

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